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發布時(shí)間:2020-12-10
Dialog半導體已将其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術授權給Globalfoundries,但生産計劃要(yào / yāo)等到(dào)2022年。
Globalfoundries公司計劃在(zài)2022年将CBRAM作爲(wéi / wèi)其22FDX絕緣體上(shàng)矽22nm制造工藝的(de)嵌入式NVM選項,并計劃将該方案擴展到(dào)其他(tā)制程。
Facebook人(rén)工智能科學家Yann LeCun表示, ReRAM技術是(shì)嵌入式人(rén)工智能的(de)一(yī / yì /yí)項關鍵技術。CBRAM可在(zài)惡劣的(de)環境下工作,可用在(zài)物聯網、5G連接、人(rén)工智能、消費者、醫療以(yǐ)及某些工業和(hé / huò)汽車應用上(shàng)。
内存隻需要(yào / yāo)在(zài)邏輯過程中添加一(yī / yì /yí)個(gè)掩碼層,但目前還不(bù)清楚爲(wéi / wèi)什麽這(zhè)個(gè)技術需要(yào / yāo)如此長的(de)時(shí)間才能投入生産。Dialog聲稱,由于(yú)它是(shì)一(yī / yì /yí)種“後端”技術,因此能夠相對容易地(dì / de)集成到(dào)技術節點中。
CBRAM由Adesto技術公司開發,其原理是(shì)基于(yú)銅離子(zǐ)通過非晶二氧化矽的(de)運動,以(yǐ)形成交叉點的(de)絲狀橋接開關。此技術于(yú)2020年9月通過對Adesto的(de)收購轉給了(le/liǎo)Dialog。
Adesto成立于(yú)2006年,他(tā)們計劃開發一(yī / yì /yí)種基于(yú)Axon Technologies Corp.許可的(de)非易失性存儲器。Axon Technologies是(shì)亞利桑那州立大(dà)學(Arizona State University)的(de)附屬公司。該公司是(shì)衆多競争對手中将ReRAM推向市場的(de)公司之(zhī)一(yī / yì /yí),盡管基于(yú)該技術的(de)産品銷售有些困難,也(yě)使用了(le/liǎo)其他(tā)更傳統的(de)NVM技術。Dialog半導體負責企業發展副總裁Mark Tyndall表示:“該協議不(bù)僅爲(wéi / wèi)行業帶來(lái)了(le/liǎo)優良的(de)技術,還爲(wéi / wèi)Dialog下一(yī / yì /yí)代系統芯片采用前沿的(de)CBRAM技術創造了(le/liǎo)機會。”
通過IP定制,客戶可以(yǐ)通過修改CBRAM單元來(lái)優化SoC設計,甚至爲(wéi / wèi)新的(de)應用程序調整單元。
來(lái)源:中電網