Dialog半導體已将其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術授權給Globalfoundries，但生産計劃要(yào / yāo)等到(dào)2022年。

Globalfoundries公司計劃在(zài)2022年将CBRAM作爲(wéi / wèi)其22FDX絕緣體上(shàng)矽22nm制造工藝的(de)嵌入式NVM選項，并計劃将該方案擴展到(dào)其他(tā)制程。

Facebook人(rén)工智能科學家Yann LeCun表示， ReRAM技術是(shì)嵌入式人(rén)工智能的(de)一(yī / yì ／yí)項關鍵技術。CBRAM可在(zài)惡劣的(de)環境下工作，可用在(zài)物聯網、5G連接、人(rén)工智能、消費者、醫療以(yǐ)及某些工業和(hé / huò)汽車應用上(shàng)。

内存隻需要(yào / yāo)在(zài)邏輯過程中添加一(yī / yì ／yí)個(gè)掩碼層，但目前還不(bù)清楚爲(wéi / wèi)什麽這(zhè)個(gè)技術需要(yào / yāo)如此長的(de)時(shí)間才能投入生産。Dialog聲稱，由于(yú)它是(shì)一(yī / yì ／yí)種“後端”技術，因此能夠相對容易地(dì / de)集成到(dào)技術節點中。

CBRAM由Adesto技術公司開發，其原理是(shì)基于(yú)銅離子(zǐ)通過非晶二氧化矽的(de)運動，以(yǐ)形成交叉點的(de)絲狀橋接開關。此技術于(yú)2020年9月通過對Adesto的(de)收購轉給了(le／liǎo)Dialog。

Adesto成立于(yú)2006年，他(tā)們計劃開發一(yī / yì ／yí)種基于(yú)Axon Technologies Corp.許可的(de)非易失性存儲器。Axon Technologies是(shì)亞利桑那州立大(dà)學(Arizona State University)的(de)附屬公司。該公司是(shì)衆多競争對手中将ReRAM推向市場的(de)公司之(zhī)一(yī / yì ／yí)，盡管基于(yú)該技術的(de)産品銷售有些困難，也(yě)使用了(le／liǎo)其他(tā)更傳統的(de)NVM技術。Dialog半導體負責企業發展副總裁Mark Tyndall表示:“該協議不(bù)僅爲(wéi / wèi)行業帶來(lái)了(le／liǎo)優良的(de)技術，還爲(wéi / wèi)Dialog下一(yī / yì ／yí)代系統芯片采用前沿的(de)CBRAM技術創造了(le／liǎo)機會。”

通過IP定制，客戶可以(yǐ)通過修改CBRAM單元來(lái)優化SoC設計，甚至爲(wéi / wèi)新的(de)應用程序調整單元。

來(lái)源：中電網